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163 第162章 碳基芯片制作工艺（第1页）
第162章碳基芯片制作工艺
“这一觉睡得真舒服！”
苏其伸了一个懒腰，这次醉酒没有人打扰，他一觉直接睡到了下午两点。
拿出手机点了一个外卖，随后打开，看看最新的新闻。
“中为要出全华国产自研芯片……xx公司说龙魂eda涉嫌抄袭？……真是脸都不要了！！”
“造谣中为要用自研的芯片是吧……”
苏其笑了起来，“到时候拿出真货，不知道这群人会是个什么反应？”
他想想就有些期待。
如果是之前，那确实只能憋屈的出声明，没有这回事。但现在，有3d堆叠晶体技术，外加存内计算。
两个叠加上去完全可以抹平制程的差距。按照估算4onm的芯片就可以对比7nm。
完全足够现在芯片使用！
不仅中低端，高端也能满足！
就在他看一群跳的欢快水友笑话时。
忽然，一行字从系统面板上闪现。
新任务来了？
看到提示，苏其眼神一亮，随后急忙打开面板。
【系列任务：星辰永在，华夏永昌——芯片之魂（45）】
【任务内容：改装微型设备的芯片，并获得5oooo的震惊值】
【任务奖励：碳基芯片制作工艺】
……
“碳基芯片制作工艺，还以为会是光刻机呢！不过这个东西，也是一个好东西！”
看到任务奖励，苏其眼神有些亮。
目前的芯片都是硅基芯片，而硅基芯片是有限制的。
在保证晶体硅的性质不变的情况下，最小的硅基芯片尺寸极限大约是1nm。在这个尺寸之下，硅基芯片的物理性质会生显著的变化。
也就说硅基芯片的极限就是1nm。
而且在制造工艺方面，小于2nm的硅基芯片需要采用极端的制造方法，如高能电子束和离子束刻蚀等，这是一个十分复杂，而且难以量产的技术。
但是碳基芯片则不一样，先它的最低极限就比硅基芯片要高，能达到nm级以下。
而最关键的是，碳基芯片的性能是远远好于硅基芯片的，如果用数据类比的话，就是7nm的碳基芯片运行度就可以比拟o.5nm的硅基芯片的运行度。
两个东西完全不在一个赛道上。
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