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第980章 真正意义上的降维打击（第3页）

尽管这只是通过计算机绘制的微观图案，但却最真实的还原了两者之间的区别。

当布会现场大屏上的那张对比图放出来的时候，在场几乎所有人，无论是英特尔的总裁帕特·格尔辛格，还是苹果的总裁副总裁蒂姆·米勒，脸上无一例外地不是露出了惊诧的表情。

而现场更是传来阵阵骚动的声音。

能够来参加今天的产品布会的，可以说除去政府蔀门的人员外，其他的全都是半导体领域的工程师、高管或学者。

然而就是这样一群站在半导体这个领域金字塔的人，此刻却宛如小学生上课一般，呆呆的看着讲台。

利用大量的碳纳米管像积木组装一样搭建成宏观的芯片，这的确是理论上碳基芯片的优势。

但就目前各国以及相关的研究机构在碳基芯片上的研究来看，根本就不可能做到这一点。

目前来说，实现碳基芯片最好、最成熟的方法就是通过高半导体纯度、顺排、高密度和大面积均匀的单壁碳纳米管阵列，然后依次排列，如同硅基芯片一般进行叠加光刻。

这是碳基芯片研究了十几年以来最理想最成熟的方法。

也是理论上最简单的方法。

但即便是最简单的这种方法，对于碳基芯片中碳纳米管的高密度大面积排序依旧是个难以解决的问题。

早在2o19年就制备出达到大规模碳基集成电路所需的高纯、高密碳纳米管阵列材料，并采用这种材料先实现了性能越硅基集成电路的碳纳米管集成电路的北大彭练矛教授的团队，同样至今在因这个难题而困扰着。

甚至为了解决这个问题，他们在着手建立专用的工业级研线。

因为在学校现有的实验条件下，能够制作出的最复杂的碳纳米管芯片的集成度只有几千、最多几十万个晶体管，尺寸还是微米级的。

原本无论是英特尔还是苹果，亦或者是高通，amd等企业的高管和工程师，参加这次的产品布会，下意识的都认为星海研究院所制备的碳基芯片就是采用的最基础的叠层技术而完成的。

现在却突然冒出了三维立体碳纳米管阵列技术，这不由的让所有人都直接懵逼了。

就连英特尔的总裁帕特·格尔辛格都情不自禁的咽了口唾沫，喃喃自语的说道。

“这怎么可能！？”

“这不可能！我不相信。”

不由自主地将心中的震撼宣泄了出来，脸上写满震撼的格尔辛格呆滞的看着大屏上的对比图，忽然打了个激灵后回过神来，脸上的表情从震撼快的转变成难看。

如果说这是真的，那么对于英特尔来说，乃至对于整个硅基半导体工业领域来说都将是一场‘真正’的灾难。

虽然说因为结构和制造工艺使得硅基芯片内部具有三维特性，但通常芯片中起关键作用的器件位于芯片的正面，也就是立方体的一个表面。

像FinFet、gaa等技术都是基于这个表面，对器件做了三维处理，成功改善了器件在低尺寸范围内的性能。

而所谓的3d堆叠则通常是将多个芯片平行叠加，可以理解为将包含器件的表面平行放置。

毕竟如果说将立方体的六个面全部进行工艺制作，即部分包含器件的表面是垂直或以一定角度放置，会存在性能不均、工艺难、可靠性差、成本高等一系列问题。

但从从性能上讲，晶体立方体的不同面，会因为晶体结构、晶体制作工艺，存在不同的表面状态，会导致同一种器件在不同表面出现不同的性能。

这就意味着三维化的碳基芯片，无论是在电路设计还是性能、亦或者是功能性上都会远出二维平面的硅基芯片。

对于硅基芯片来说，这毫无疑问是一场真正意义上的降维打击！

无论从哪方面来说都是的。

口中的呼吸声逐渐的沉重起来，那失去了聚焦的瞳孔犹如一滴墨水滴入清水中不自觉的扩散开来。

目光落在布会现场的大屏上，尽管因为走神已经看不清那上面的详细画面了，但帕特·格尔辛格依旧能够感受到它所带来的压迫。

难怪华国能够有如此大的自信，敢在这场新闻布会上释放出颠覆整个‘硅基半导体市场’的目标。

原来

一切的原因都在这里